全球首個(gè)!我國(guó)科學(xué)家研制出110GHz純硅調(diào)制器
日前,北京大學(xué)電子學(xué)院王興軍教授、彭超教授、舒浩文研究員聯(lián)合團(tuán)隊(duì)在超高速純硅調(diào)制器研究方面取得重大突破,成功實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)電光帶寬達(dá)110GHz的純硅調(diào)制器。這是自2004年英特爾在《自然》期刊報(bào)道第一個(gè)1GHz硅調(diào)制器后,國(guó)際上第一次把純硅調(diào)制器的帶寬提高100GHz以上。相關(guān)研究成果以《110GHz帶寬慢光硅調(diào)制器》為題,在線發(fā)表于《科學(xué)·進(jìn)展》。
該純硅調(diào)制器同時(shí)具有超高帶寬、超小尺寸、超大通帶及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)集成工藝兼容等優(yōu)勢(shì),滿足了未來(lái)超高速應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)超高速率、高集成度、多波長(zhǎng)通信、高熱穩(wěn)定性及晶圓級(jí)生產(chǎn)等需求,是硅基光電子領(lǐng)域的重大突破。
隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)中心的規(guī)模和復(fù)雜度也在不斷增加,對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率、集成度以及穩(wěn)定性的要求也越來(lái)越高。此次突破性的研究成果,正是對(duì)這一需求的有力回應(yīng)。它將為高速、短距離數(shù)據(jù)中心和光通信的應(yīng)用提供重要關(guān)鍵技術(shù)支撐,也將為全球的數(shù)據(jù)中心發(fā)展提供新的技術(shù)可能,對(duì)下一代數(shù)據(jù)中心的發(fā)展具有重大意義。
(總臺(tái)央視記者 韓冰)
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