2月25日，中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所傳來喜訊，該所成功研制出我省首片碳化硅芯片。

　　據(jù)介紹，碳化硅材料已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略競爭的新高地，對實(shí)現(xiàn)“雙碳”具有重要的戰(zhàn)略意義。因碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)點(diǎn)，更適合開發(fā)具有耐高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等優(yōu)勢的功率半導(dǎo)體器件，可有效突破傳統(tǒng)硅基材料的物理極限，已成為我國重點(diǎn)發(fā)展的戰(zhàn)略性先進(jìn)半導(dǎo)體。

　　2021年9月，中電科二所建設(shè)了碳化硅芯片mini線，并負(fù)責(zé)整線運(yùn)行和維護(hù)。針對整個項(xiàng)目時間緊、任務(wù)重的情況，研究所憑借自身的行業(yè)影響力和資源調(diào)配能力，在水、電、氣等配套條件完成后的30日內(nèi)，完成單機(jī)設(shè)備調(diào)試、碳化硅整線工藝調(diào)試，并成功產(chǎn)出碳化硅芯片，創(chuàng)造了山西速度。

　　中電科二所有關(guān)負(fù)責(zé)人表示，該項(xiàng)目的成功是落實(shí)我省“十四五”規(guī)劃將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打造成新支柱產(chǎn)業(yè)取得的階段性重大成果，也代表著我省向半導(dǎo)體領(lǐng)域轉(zhuǎn)型發(fā)展道路上的一個重要進(jìn)展。下一步，研究所將全力以赴推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室二期碳化硅芯片中試線和碳化硅器件智能封裝線的建設(shè)。（記者沈佳）